多年来，硅一直是晶体管的首选材料。然而，由于硅技术自身的特点，硅技术在功率转换领域已经达到了饱和点，此时GaN技术带来了新的突破。首先得出结论，GaN充电器在尺寸、充电速度和能量效率方面都优于硅充电器。站长猜您对硅的文章感兴趣：
硅基生物有可能存在吗？
以下是他们的不同之处：
从图中对比可以看出，氮化镓的禁带宽度为3.4 eV，硅的禁带宽度为1.12 eV。因此，氮化镓能够承受更高的温度和电压。因此，用GaN处理电荷更快，充电速度更快，能量有效流动。氮化镓效率更高，所以热量更少。更少的热量意味着内部组件可以靠得更近，所以在保持相同的功率能力和安全标准的同时，GaN充电器可以比硅充电器更小，这增加了方便性。
